DRAM (Dynamic Random Access Memory)
La mémoire vive dynamique, ou mémoire à accès aléatoire dynamique (DRAM, Dynamic Random Access Memory), est un type de mémoire généralement utilisé pour les données ou le code de programme dont le processeur d'un ordinateur a besoin pour fonctionner.
Elle constitue un type courant de mémoire vive (RAM, Random Access Memory), utilisé dans les ordinateurs personnels, les stations de travail et les serveurs.
L'accès aléatoire permet au processeur d'atteindre directement n'importe quelle partie de la mémoire plutôt que de devoir procéder séquentiellement à partir d'un point de départ. Située à proximité du processeur, la mémoire vive permet un accès aux données plus rapide que des supports de stockage tels que les lecteurs de disque dur et les lecteurs SSD.
La DRAM conserve chaque bit de données ou de code dans une cellule de mémoire constituée d'un condensateur et d'un transistor ; elle est généralement organisée selon une configuration rectangulaire des cellules de mémoire.
Une cellule de mémoire DRAM est dynamique dans le sens où elle doit être actualisée ou recevoir une nouvelle charge électronique à intervalles de quelques millisecondes, afin de compenser les pertes de charge du condensateur.
Pour construire un ordinateur, un concepteur de systèmes a le choix entre plusieurs types de mémoire électronique, dont la DRAM. Les autres options sont la mémoire vive statique (SRAM, Static Random Access Memory), la mémoire morte effaçable et programmable électriquement (EEPROM, Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) et la mémoire Flash NAND. De nombreux systèmes utilisent plusieurs types de mémoire.
Les principaux avantages de la DRAM résident dans sa conception simple, sa vitesse et son coût réduit par rapport aux autres types de mémoire. Ses principaux inconvénients sont sa volatilité et sa forte consommation énergétique.
De nombreux types d'interface permettent de communiquer avec la DRAM. On compte la mémoire dynamique en mode page rapide (FPM, Fast Page Mode), la mémoire vive à sortie de données étendue (EDO, Extended Data Out) et la mémoire dynamique synchrone (SDRAM). Cette dernière appellation est un nom générique désignant des types de DRAM synchronisés avec la fréquence d'horloge du microprocesseur. Ils comprennent la SDRAM à débit de données simple (SDR, Single Data Rate), à débit de données double (DDR, Double Data Rate), DDR2, DDR3 et DDR4.
DRAM et SRAM
La DRAM succède à la SRAM. Pour créer la DRAM, les concepteurs de mémoire ont réduit le nombre d'éléments par bit et éliminé des lignes de bits différentielles afin d'économiser de la place sur la puce. En conséquence, la DRAM est moins chère à produire que la SRAM.
Mais la SRAM conserve certains avantages sur sa concurrente. Elle n'a pas besoin d'être actualisée, car elle fonctionne selon le principe de basculement du courant dans un sens ou dans l'autre, au lieu de maintenir une charge dans une cellule de mémoire. La SRAM est généralement utilisée pour la mémoire cache, plus rapidement accessible que la DRAM.
Elle est capable d'effectuer des lectures et des écritures au niveau de l'octet, et ce plus rapidement que la DRAM. La DRAM écrit les données au niveau de l'octet mais les lit au niveau de la page (composée de plusieurs octets).
Il existe également des écarts en matière d'alimentation, selon que le système est actif ou en veille. Ainsi, la DRAM exige une alimentation moindre que la SRAM en mode actif, alors que la SRAM consomme beaucoup moins d'énergie que la DRAM en mode veille.
