Semicon : Intel et IBM investissent 4,4 Md$

Selon nos confrères de Bloomberg, IBM et Intel, associés à Globalfoundries, TSMC et Samsung Electronics, ont décidé d'investir dans l'Etat de New York quelque 4,4 millliards de dollars sur 5 ans dans la R&D autour des semi-conducteurs, ont confirmé nos confrères de Bloomberg, citant Andrew Cuomo le gouverneur de l'état américain.

Selon nos confrères de Bloomberg, IBM et Intel, associés à Globalfoundries, TSMC et Samsung Electronics, ont décidé d'investir dans l'Etat de New York quelque 4,4 millliards de dollars sur 5 ans dans la R&D autour des semi-conducteurs, ont confirmé nos confrères de Bloomberg, citant Andrew Cuomo le gouverneur de l'état américain. Ces investissements conséquents, dont l'essentiel seront apportés par IBM à hauteur de 3,6 Md$, serviront à alimenter le développement des méthodes de gravure à 22 et 14 nanomètres, ainsi qu'à la construction de galettes de silicium (wafers) de 450 millimètres de diamètres. Le standard est aujourd'hui de 300 millimètres.

Selon Andrew Cuomo, cette association des géants du semi-conducteur devrait contribuer à créer quelque 6 900 emplois dans la région, dont 2 500 dans la partie ingénierie.

L'Etat de New York participera également à cet apport en injectant 400 millions de dollars dans une université technologique de la région (College of Nanoscale Science and Engineering), localisé à Albany. Ville où devrait également s'établir le centre de R&D d'Intel.

Le gouverneur de New York parle "d'investissements sans précédent" pour l'Etat.

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