MRAM
La mémoire vive magnétique, ou MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), est un dispositif permettant de stocker des bits de données à l'aide de charges magnétiques au lieu des charges électriques utilisées par la mémoire vive dynamique (DRAM, Dynamic Random Access Memory).
Les scientifiques définissent un métal comme magnétorésistif si sa résistance électrique subit une légère modification lorsqu'il est placé dans un champ magnétique. En combinant la vitesse élevée de la RAM statique et la haute densité de la DRAM, la MRAM permettrait, selon ses créateurs, d'améliorer considérablement les appareils électroniques. En effet, il serait possible d'y stocker de plus grandes quantités de données, afin de les rendre accessibles plus rapidement tout en économisant la batterie.
Les puces de RAM conventionnelle stockent les informations tant qu'elles sont alimentées en électricité. Dès que l'alimentation est coupée, les informations sont perdues, à moins d'avoir été copiées sur un disque dur ou une disquette. La MRAM, en revanche, conserve les données même lorsque l'appareil est mis hors tension. De ce fait, en remplaçant la DRAM par de la MRAM, il serait possible d'éviter la perte de données et de démarrer instantanément les ordinateurs, sans devoir attendre l'initialisation du logiciel.
Le développement de la MRAM s'appuie essentiellement sur deux écoles scientifiques : 1) la spintronique ou magnétoélectronique, la science qui produit les têtes à magnétorésistance géante utilisées dans les disques durs et 2) la magnétorésistance à effet tunnel, ou TMR (Tunneling Magnetic Resistance), technologie sur laquelle devraient reposer les futures MRAM.
