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Intel conforte sa gamme Optane, mais doit faire face à la menace Z-SSD de Samsung

Le fondeur américain devrait renforcer son catalogue de SSD NVMe Optane à base de mémoire 3D Xpoint dans le courant du mois d’octobre. Mais il doit faire face à l’émergence de l’offre Z-SSD de Samsung, certes un peu moins performante, mais potentiellement bien moins coûteuse.

La fuite récente d’une partie de la feuille de route d’Intel en matière de SSD laisse entrevoir l’arrivée de nouveaux produits de stockage Optane, s’appuyant sur la technologie 3D Xpoint du constructeur. Intel devrait en particulier dévoiler la famille de SSD NVMe Optane 900P en formats 2,5 pouces et carte PCIe avec des capacités allant de 240 Go à 1,5 To. Cette famille visera officiellement le marché des stations de travail et viendra compléter l’actuelle gamme Optane P4800X conçue pour les datacenters.

La technologie 3D Xpoint, co-développée avec Micron — qui la commercialisera vers la fin 2017 sous la marque QuantX —, s’appuie sur une forme de mémoire à changement de phase. Alors que la technologie n’était qu’en phase de préproduction, Intel avait annoncé des performances 1000 fois supérieures à celle des technologies Flash NAND existantes.

Les premiers produits d’Intel ont toutefois largement déçu, car ils sont bien loin de délivrer ce niveau de gains. Néanmoins, une chose est sûre : les dispositifs 3D Xpoint sont bien plus véloces que les SSD traditionnels à base de Flash NAND et peuvent donc être mis à profits dans de multiples contextes pour doper les performances des systèmes existants. L’un des usages les plus évidents est la fourniture d’un étage de cache additionnel entre la mémoire vive et la NAND dans les serveurs et lbaies de stockage. Mais il est aussi possible d’utiliser les SSD Optane comme stockage primaire pour des applications sensibles à la latence comme la détection de fraude, l’analytique en temps réel, le stockage de logs de bases de données, etc.

Selon Intel, un SSD Optane 900P devrait délivrer jusqu’à 550 000 IOPS en lecture aléatoire de blocs de 4K et 500 000 IOPS en écriture et offrir une bande passante en lecture allant jusqu’à 2,5 Go/s. Soit des performances équivalentes à celles des SSD P4800X pour datacenters. 

Le prix élevé de la technologie Optane reste un obstacle à sa diffusion

Le principal problème auquel semble être confronté le fondeur avec sa technologie est son prix élevé, qui limite son aptitude à commercialiser la technologie en masse. Un SSD Optane P4800X d’une capacité de 375 Go est ainsi vendu aux environs de 1800 $ alors qu’il est possible pour le même prix d’acquérir un SSD PCIe NVMe haut de gamme comme le HGST UltraStar SN260 avec une capacité plus de quatre fois supérieure (1,6 To).

Comme nous l’expliquait un porte-parole de l’équipe 3PAR d’HPE lors de HPE Discover en juin dernier, Intel ne semble pas à même de produire la mémoire Optane à un niveau de prix suffisamment bas pour accélérer son adoption dans les datacenters. Pour protéger ses marges, il n’a donc d’autre choix que de la vendre à un prix élevé, ce qui nuit à son adoption. HPE avait à l'origine prévu d'utiliser des cartes PCIe Optane d'Intel pour fournir un étage de cache accéléré (technologie dite 3D Cache chez 3PAR).

Cette incapacité à produire la mémoire Optane à un coût raisonnable expose aussi Intel à la concurrence de dispositifs Flash optimisés. Samsung a ainsi annoncé la disponibilité prochaine de ses SSD Z-NAND des dispositifs qui affichent des capacités proches de celles des SSD Optane d’Intel. Plutôt que de parier sur une technologie émergente, le constructeur coréen a travaillé à l’optimisation des performances de sa technologie Flash SLC, ce qui lui permet de s’approcher des spécifications des SSD Optane tout en offrant un rapport capacité/prix supérieur.

Sur le papier, le Samsung SZ985 — le premier des SSD Z-NAND de Samsung — délivre ainsi 750 000 IOPS en lecture de blocs de 4K et 170 000 IOPS en écriture et affiche une bande passante de 3,2 Go/s. Plus inquiétant pour Intel, la latence s’approche de celle des SSD Optane. En lecture, elle est en moyenne de 13 microsecondes (contre 10 microsecondes pour un SSD Optane) et elle est de 16 microsecondes en écriture (contre 10 microsecondes pour un SSD Optane). Comme le P4800x d'Intel, le SZ985 de Samsung peut supporter jusqu'à 30 cycles complets d'écritures par jour.

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