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Mémoires : Weebit Nano reparle de ses ReRAM

La Startup israélienne a passé les derniers tests de validation avant de pouvoir enfin lancer la production de ses mémoires similaires aux Optanes d’Intel et intégrables, elles, dans des processeurs.

Cette fois, ce serait la bonne. La startup israélienne Weebit Nano, qui promet chaque année de lancer « bientôt » ses mémoires ReRAM, aurait enfin validé la dernière étape de leur processus de fabrication.

« Nous sommes heureux d’annoncer que nous avons complété avec succès l’étape de qualification technologie pour la fabrication de nos modules ReRAM. Cette étape est un passage obligé pour chaque produit de semiconducteur qui doit bénéficier d’un processus de fabrication inédit », écrit la startup dans un communiqué.

En l’occurrence, il fallait attendre qu’un cabinet externe teste les premiers lots de composants produits par Weebit Nano selon les protocoles du JEDEC. Le JEDEC est un office de standardisation pour tout ce qui a trait aux mémoires non volatiles, c’est-à-dire les mémoires NAND et toutes celles qui prétendent les dépasser. Ses tests consistent à qualifier la fabrication en série des circuits électroniques.

Succéder aux Optane d’Intel

Un module ReRAM est censé répondre aux mêmes besoins que les modules Optane chez Intel : une mémoire quasiment aussi rapide que la RAM, mais qui conserve ses données même en l’absence d’électricité. Il s’agit de proposer des produits de stockage excessivement rapides ou, c’est selon, des mémoires qui évitent de recharger les données à chaque incident ou à chaque mise à jour. Dans les deux cas, il s’agirait d’améliorer la fiabilité et la rapidité des bases de données, dans le datacenter, ou des appareils connectés, sur le terrain.

Les modules Optane d’Intel y parvenaient grâce à des circuits 3D XPoint mis au point avec Micron. Ils étaient vendus sous la forme de barrettes DDR4 deux fois plus capacitives que celles de DRAM, ou sous la forme de SSD dix fois plus rapides que les SSD traditionnels. Malheureusement, Intel n’a jamais réussi à faire suffisamment décoller les ventes pour rentabiliser leur fabrication. Le fondeur a fini par enterrer cette gamme un peu plus tôt cette année.

Les cellules de mémoire des ReRAM sont a priori plus simples à fabriquer que des cellules 3D XPoint, dans le sens où chaque transistor n’aurait besoin que de deux couches d’oxyde de silicium entre ses deux électrodes. Selon Weebit Nano, la production devrait ainsi coûter quatre fois moins cher que celle des Optane. Initialement, Weebit Nano expliquait avoir trouvé une usine en Chine pour fondre ses circuits. À présent, il explique « évaluer plusieurs partenaires industriels ». Il faut dire que, entretemps, les USA ont prévenu tous les fabricants d’électroniques qu’ils ne recevraient aucune contribution s’ils se fournissaient d’une manière ou d’une autre chez une usine chinoise.

Intégrer les ReRAM dans des processeurs

La simplicité des cellules ReRAM permet en théorie de graver les circuits avec une précision de 12 nm, soit presque qu’autant qu’un processeur et des dizaines de fois mieux qu’une cellule NAND. Weebit Nano envisage de fait de fabriquer une mémoire non volatile qui pourrait même être embarquée dans un processeur. Il dispose d’ailleurs dans ses laboratoires d’un prototype de processeur RISC-V équipé d’une telle mémoire.

Revers de la médaille, cette simplicité a besoin qu’un contrôleur soit embarqué dans le composant mémoire ReRAM pour aiguiller les données depuis le bus qui communique avec le processeur de la machine hôte. Ce contrôleur a été mis au point à Grenoble par le CEA-Leti. C’est son intégration aux côtés des cellules de mémoire qui semblaient nécessiter des tests approfondis de la part du JEDEC.

À ce stade, il n’est pas certain que les premiers de ReRAM puissent arriver sur le marché en 2023. Il était initialement question de les commercialiser en 2021.

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