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Flash Memory Summit : les grands de la Flash rivalisent dans la surenchère

Rendez-vous annuel des géants du stockage Flash et du stockage en mémoire, le Flash Memory Summit 2016 a confirmé le dynamisme du secteur et la montée en puissance du stockage Flash.

Rendez-vous annuel des géants du stockage Flash et du stockage en mémoire, le Flash Memory Summit 2016 qui se tenait cette semaine à Santa Clara, dans la Silicon Valley, a encore une fois fait la démonstration du dynamisme du secteur.

Samsung entend conserver son leadership

Du côté des fondeurs, Samsung a présenté sa quatrième génération de mémoires Flash NAND 3D désormais assemblée à partir de 64 couches de cellules NAND TLC contre 48 pour le processus précédent, ce qui devrait permettre de doper non seulement les capacités mais les performances des futurs SSD de la marque. La 4e génération de Flash de Samsung ouvre la voie à l’arrivée prochaine du PM1643, un SSD entreprise de 32 To qui devrait succéder vers la fin de l'année à l’actuel PM1633a (environ 15,4 To de capacité) Ce dernier est utilisé notamment par NetApp dans ses dernières baies AFF (All-Flash FAS). Samsung a aussi présenté une carte PCI-express, baptisée PM1735, qui devrait succéder en 2017 à l’actuelle PM1725. La nouvelle carte utilisera 8 canaux PCIe Gen4 là où l’actuelle PM1725 se contente de 8 canaux PCIe Gen3. Samsung annonce un débit plafond de 12 Go/s en transfert de données pour la nouvelle carte Flash.

Enfin, le fondeur devrait aussi rafraîchir son offre de SSD compact au format M.2 avec des versions à 4 To et proposer une déclinaison non standard, plus large (34 mm au lieu de 22 mm) et un peu plus longue (114 mm au lieu de 110 mm) capable de stocker 8 To. Ce dernier format est sans doute une réponse à la demande d’acteurs comme FaceBook, qui a utilisé le Flash Memory Summit pour demander des formats M.2 plus capacitifs. Pour mémoire le réseau social crée ses propres cartes flash comportant jusqu’à 4 modules M.2 pour des performances, des capacités et une densité sans équivalent…

Samsung a aussi annoncé un nouveau type de mémoire Flash, qu’il baptise Z-NAND. Cette mémoire sera positionnée en concurrente directe de la mémoire 3D XPoint d’Intel et Micron. Samsung devrait proposer un SSD Z-Nand de 1 To avant la fin de l’année puis décliner la technologie en versions 2 To et 4 To l’an prochain.

Micron en dit plus sur les capacités de la mémoire 3D Xpoint

Face à Samsung, Micron a lui aussi tenu à dévoiler ses nouveautés. Spécialiste historique de la mémoire Flash et partenaire en fabrication d’Intel, Micron a concentré ses annonces autour de ses futurs SSD QuantX, le nom qu’il donne à ses SSD à base de mémoire 3D XPoint [Intel utilise la marque Optane pour ses futurs SSD 3D XPoint, N.D.L.R.].

Selon, les données de performances affichées par Micron, les futurs SSD devraient avoir des performances en IOPS entre 5 et 10 fois meilleures que les actuels SSD à base de mémoire Flash NAND à interface NVMe. Un SSD QuantX à base de mémoire 3D XPoint afficherait selon Micron une latence en écriture de 20 microsecondes et une latence en lecture de 10 microsecondes. Il serait capable de délivrer 900 000 IOPS en utilisant 4 lignes PCIe Gen3 et 1,9 million d’IOPS en utilisant 8 lignes PCIe Gen3 (Blocs de 4K avec un mix de 70 % de lectures et 30 % d’écritures avec une profondeur de files allant de 8 à 32).

Pour la première fois, Micron a aussi fourni une indication de prix en affirmant que les futurs disques QuantX devraient coûter entre 4 et 5 fois plus chers que les actuels disques d'entreprise à base de mémoire NAND. Micron devrait débuter la commercialisation de ces disques au second semestre 2017, soit un petit peu plus tard qu’Intel, qui devrait proposer ses premiers modèles Optane au premier trimestre 2017. Ce calendrier est toutefois peut-être un peu optimiste de la part du n° 1 mondial puisque toutes les start-ups construisant des baies de stockage NVMe auxquelles nous avons parlé jusqu’alors indiquent qu’il leur est pour l'instant difficile d’obtenir plus d’un ou deux prototypes de disques Optane pour leurs tests…

Toshiba évoque des SSD de 100 To et produit ses premières NAND QLC

Lors de son Keynote, Toshiba (qui est un partenaire en production de SanDisk, récemment acquis par Western Digital) a lui aussi affiché ses ambitions. La firme n’est pas connue pour fournir les disques les plus capacitifs du marché mais elle s’est bâti une réputation de qualité et a aussi été la première sur plusieurs marchés émergents comme celui des disques NVMe à deux ports (Ses ZD6000 d’une capacité de 800 Go à 7,5 To sont par exemple utilisés par DDN, Apeiron, X-IO). Toshiba a donc souhaité rassurer sur sa capacité à suivre le rythme infernal imposé par Samsung. Selon la firme, ses nouveaux processus de production (et notamment le très récemment annoncé BICS3 à 64 couches) vont lui permettre de produire des SSD NAND 3D d’une capacité de 64 à 100 To à l’horizon 2018 avec un coût au Go de l’ordre de 5 à 7 cents, de quoi menacer directement l’existence des disques durs d’entreprise.

Le constructeur japonais a également indiqué être parvenu à produire des puces QLC (Quad Level Cell) capables de stocker jusqu’à 4 bits par cellule, contre 3 bits pour les actuelles mémoires NAND TLC. La technologie pourrait permettre à Toshiba de produire des SSD allant au-delà des 100 To à des fins d’archivage ou de stockage de données froides. Toshiba discuterait notamment avec FaceBook dont les dirigeants n’ont pas caché leur intérêt pour l’émergence de SSD de grande capacité à base de mémoire Flash QLC, qui pourraient leur permettre d’éliminer le recours aux disques durs pour le stockage de données froides. 

Toshiba a aussi surpris tous les participants du Flash Memory Summit en dévoilant son propre système hyperconvergé alliant de stockage Flash et capacité de calcul. Ce système dense de 2U combine de multiples nœuds serveurs à base de puces Atom C2550 reliés par via une matrice active (de type Torus 2D) à de multiples cartes Flash combinant de multiples modules NAND et des FPGA Xilinx. Le nouveau système pourrait avoir des applications intéressantes sur le marché de l’analytique embarqué, mais il faudra attendre d’en savoir plus sur les caractéristiques exactes et sur les performances du système pour se prononcer.

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