Les USA vont aussi taxer les importations de semiconducteurs

Intel et Micron, fers de lance des usines américaines de semiconducteurs

Chez Intel, le site de Chandler, en Arizona, a été étendu pour graver des circuits avec une finesse de 5 nm et de 20A. La finesse de gravure de 5 nm est celle utilisée par TSMC pour graver depuis 2023 les GPU H100/H200 de Nvidia et les processeurs Epyc 9005 d’AMD, par exemple. Intel a aussi construit une nouvelle usine à Licking County, dans l’Ohio, qui sera capable de produire des circuits gravés avec une finesse de 18A d’ici à cet été. Les usines 20A et 18A sont censées produire des circuits plus économes en énergie que les usines de TSMC, notamment grâce à des procédés de gravure sur les deux faces d’un wafer.

Intel recevrait du Chips & Science Act une aide évaluée à 7,87 milliards de dollars. Pour autant, le plan prévoyait initialement de lui accorder 8,5 Mds $. La baisse de l’aide est conséquente de doutes quant à l’avenir d’Intel. L’ex-numéro un des processeurs a lourdement investi depuis 2021 pour rattraper son retard. Ce rattrapage, qui commence enfin à se concrétiser avec les finesses de gravure 20A et 18A, a lourdement creusé ses dettes. Au point que la rumeur d’un rachat par TSMC et Broadcom s’amplifie encore. Le premier reprendrait les usines et le second l’activité de conception des puces.

Micron, qui bénéficierait d’une aide estimée à 6,2 Mds $, est toujours en construction de deux grands sites industriels. L’un est situé à Clay (État de New York) et l’autre à Boise (dans l’Idaho). Ces sites ne devraient pas produire de mémoire avant 2027. Outre les mémoires HBM essentielles aux performances des GPU dans les traitements d’IA, Micron fabrique de la DRAM et il est l’un des principaux fabricants de mémoires Flash pour les SSD.

TSMC et Samsung sur le sol américain

Le Taiwanais TSMC est de loin celui qui bénéficie le plus du plan américain, avec une aide totale estimée à 11,6 Mds $ (dont 6,6 Mds $ en cash et le reste en réductions d’impôts). Le site qu’il a construit en Arizona a débuté sa production de puces gravées en 5 nm en janvier. En 2028, la production sera doublée avec l’ouverture d’une seconde chaîne de gravure, cette fois-ci capable de graver en 3 nm. Une troisième chaîne de gravure devrait être construite d’ici à 2030.

Il est notable que les circuits gravés par TSMC aux USA ont une génération de retard par rapport aux circuits gravés par TSMC à Taiwan. La question est géopolitique. D’un côté, les USA mettent la pression sur TSMC pour que ses chaînes de gravure américaine soient similaires à celles situées à Taiwan. De l’autre, Taiwan redoute que les USA ne protègent plus l’île d’une invasion chinoise si elle n’a plus l’exclusivité des usines les plus avancées.

Samsung, dont l’aide perçue serait de 6,4 Mds $, disposait déjà d’usines à Austin et à Taylor, au Texas, depuis plusieurs années. Celles-ci concernaient la production locale de composants pour l’automobile et de chipsets pour les cartes mères, avec des finesses de gravure allant de 65 à 14 nm. Samsung promet que l’extension de son usine à Taylor servira à terme à produire « des composants pour l’IA ». Les travaux n’ayant pas encore commencé, on ignore quel type exactement de composants cette usine produira, avec quelle finesse de gravure.  

Rival de Micron sur tous les types de mémoire, Samsung a – ces dernières années – modernisé à toute vitesse ses capacités de production en Corée, de sorte à pouvoir y graver dès cette année des circuits pour processeurs ARM avec une finesse de 3 nm.